NAND FLASH在转储中如何检测和消除添加(插入，坏列)

现代所有的内存芯片质量都很低，这意味着每一代新的内存芯片都比上一代有更多的坏单元。这是因为在内存芯片生产过程中使用的工艺过程变得越来越小（最初是65纳米，后来是45纳米、32纳米、25纳米，20纳米、18纳米、14纳米、7纳米…），芯片内部的单元越来越小，单元之间的隔离层越来越薄。与此同时，开发人员可以使用最新的技术流程在同一区域更换更多的单元，这就是为什么内存芯片变得更便宜，容量每年都在增长（但质量越来越差）。

现代内存芯片中的错误数量变得如此之大，以至于即使是绝对新的内存芯片也已经有很多坏单元（位错误）。这是一个真正的问题，因为刚刚生产的新芯片已经很糟糕，如果制造商将其放入SSD或闪存设备中，它将根本不可行。这就是为什么制造商决定在所有内存芯片中添加新功能，称为“坏列管理器（Bad Column Manager）”——它是一种表格，用来替换所有关于损坏单元的记录。当内存芯片离开装配线时，该表已经出现在内存芯片中，并且该表已经包含所有坏单元的信息，这使得控制器在所有写入和读取操作中都不会使用它们。