在这一系列文章中,我们将讨论不同的芯片有问题,在进行读取到dump文件后更正的方法。我认为,在NAND内存芯片读取过程中,可能会出现一些位错误,这并不是什么秘密。位错误的数量取决于以下因素:
- NAND存储芯片类型(SLC、MLC、TLC);
- 触点清洁度(脏芯片的读数通常更差);
- 温度影响(芯片脱焊过程中的高温可能会损坏电极);
- NAND单元的磨损程度(如果客户将NAND设备上的信息重写几百次,小单元电容器的质量会变得非常差,并且读取时会出现大量错误);
在下一部分中,我们将讨论数据纠正读出(Readout)。
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