AU6989和AU6998主控U盘Flash数据恢复解决方案
Alcor Micro AU6989和AU6998越来越受欢迎。许多典型容量从8GB-128GB的闪存驱动器都是基于这个控制器系列的。为了正确构建图像,该控制器需要一个特殊的编译算法来进行块排序。 现在,我们将讨论一种使用通用块编号类型...
Alcor Micro AU6989和AU6998越来越受欢迎。许多典型容量从8GB-128GB的闪存驱动器都是基于这个控制器系列的。为了正确构建图像,该控制器需要一个特殊的编译算法来进行块排序。 现在,我们将讨论一种使用通用块编号类型...
数据恢复设备PC3000-FLASH在2017年3月的布拉格会议期间,ACELab发布了一款新的Spider Board适配器,方便一体FLASH存储的读取。在本文中,我们将介绍此适配器的主要功能,展示MicroSD应用示例,并介绍一些可能...
有些U盘的主控芯片被黑胶体(牛屎片)或激光打磨型号被隐藏,或者基于内部控制器芯片。此类带有黑胶体或隐藏控制器的情况可能是:USB闪存驱动器、SD 和 microSD 数字卡。 因此,有一些技巧可以处理这种情况。该怎么办? ——让我们在这篇文...
FLASH数据恢复构建,目前存在着许多不同的控制器,它们在SA中使用不同类型的标记来将所有块排序在一起。众所周知,有时我们可以使用关于标记的信息,并使用完整的文件夹结构构建图像,如果我们使用关于块顺序的信息将所有块排序在一起。 通常这些信息...
U盘不认怎么做数据恢复 处理有问题的闪存芯片恢复数据,有很多不同的内存芯片有读取问题,如不及时纠正ECC错误,dump被填充“FF”或其他模式等 在这篇文章中,我们想谈论不同问题的内存芯片及解决方案。 TLC Samsung EC D7 9...
当我们谈论的一体MicroSD卡无法识别了,进行数据恢复,那么首先是焊接准备,我们应该记住数据恢复过程中最重要的步骤 — 磨削。 磨削 – 是化合物从一体设备的底侧擦除的一个特殊过程。在这个过程中,工程师必须非常小心...
在之前的文章中,我们谈到了ECC 校正——首先也是主要的纠错码校正方式。有时这个功能可能非常有效,但如果你的 NAND 芯片是基于TLC 架构的,很有可能在 ECC 校正后仍有很大一部分数据损坏。因为我们知道——纠错码只能修复有限数量的错误...
在这一系列文章中,我们将讨论不同的芯片有问题,在进行读取到dump文件后更正的方法。我认为,在NAND内存芯片读取过程中,可能会出现一些位错误,这并不是什么秘密。位错误的数量取决于以下因素: NAND存储芯片类型(SLC、MLC、TLC);...
块旋转(Block rotation)–-这是一种特殊操作,对于某些Phison、noname、Phison clone和Sandisk控制器来说是典型的。基本上——这是一种在块内一组页面总是旋转的操作。闪存驱动器的控制器只需选择每个块内的...
在本文中,我们将尝试描述TSOP-48或TSOP-56封装中NAND存储器芯片拆焊的最佳方式。在开始整个拆焊过程之前,您必须确保拥有所有必需的工具,足够的时间和耐心! 此过程对于进一步的数据恢复非常重要。如果你的芯片过热 – 内...
闪存微芯片中存储的所有数据分为几类: 1.Page 页面(一组扇区,4-8-16或更多(因芯片而异)) 2.Block 块(一组页面,64-128-256-258或更多) 3.Bank(一组blocks) 4.Dump 转储(芯片的完整镜像...
现代任务中最常见的问题之一是尝试找到正确的XOR来重新解析数据。关于XOR,可以去这里阅读更多信息。 在本文中,您将找到如何更改页面大小并使其适合XOR的方法,这在以前是不可能检测到的。 附:也可以在类似情况下增加页面大小,当能够在资源列表...
XOR–是一种特殊的操作,允许控制器用特殊模式加密数据。所以,基本上我们可以称之为“软加密”,因为这个XOR可以更改用户数据,并且不允许我们在dump中找到任何文件头。 所有位于闪存驱动器中的现代控制器都使用XOR。它有助于减少对小型NAN...
当你在PC-3000 Flash中读取存储芯片时,其原始数据被逐扇区存储到“dmp”文件中(你可以在任务文件夹中找到该文件)。 Reared根据内存芯片参数(读取算法、页面大小、容量等)创建芯片转储(dump)文件。 据我们所知,所有的Fl...
U盘、TF卡等数据恢复工作中,拆取芯片如何判断芯片的正确顺序?FLASH数据恢复工具允许用户更改或操作已从NAND存储芯片读取的内存转储的顺序。一旦完成所有内存芯片的读取过程,此选项将在“Transform Graph”部分下找到。但是,有...
现代所有的内存芯片质量都很低,这意味着每一代新的内存芯片都比上一代有更多的坏单元。这是因为在内存芯片生产过程中使用的工艺过程变得越来越小(最初是65纳米,后来是45纳米、32纳米、25纳米,20纳米、18纳米、14纳米、7纳米…...