
NAND FLASH在转储中如何检测和消除添加(插入,坏列)
现代所有的内存芯片质量都很低,这意味着每一代新的内存芯片都比上一代有更多的坏单元。这是因为在内存芯片生产过程中使用的工艺过程变得越来越小(最初是65纳米,后来是45纳米、32纳米、25纳米,20纳米、18纳米、14纳米、7纳米…...
现代所有的内存芯片质量都很低,这意味着每一代新的内存芯片都比上一代有更多的坏单元。这是因为在内存芯片生产过程中使用的工艺过程变得越来越小(最初是65纳米,后来是45纳米、32纳米、25纳米,20纳米、18纳米、14纳米、7纳米…...